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IS61DDB21M36-250M3中文资料

  • 大小：550.19KB
  • 厂家：ISSI [Integrated Silicon Solution, Inc]
  • 描述：36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs
  • 制造商：ISSI
  • 产品种类：静态随机存取存储器
  • 存储容量：36 Mbit
  • 组织：1 M x 36
  • 访问时间：4 ns
  • Supply Voltage - Max：1.89 V
  • Supply Voltage - Min：1.71 V
  • 最大工作电流：550 mA
  • 最大工作温度：+ 125 C
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：BGA-165
  • 封装：Tray
  • 接口：LVTTL
  • 最大时钟频率：250 MHz
  • 端口数量：2
  • 工厂包装数量：105
  • 类型：Synchronous

IS61DDB21M36-250M3供应商

更新时间:2023-01-05 10:10:22
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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  • 深圳市企诺德电子有限公司

  • IS61DDB21M36-250M3

    IS61DDB21M36-250M3

  • 3000

  • ISSI Integrated Silicon Solution Inc

  • IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA/17+

  • 专注品质，放心购买。特价电话18665819839

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IPD60R385CPIRFR320TRPBFISL6269CRZ-TIRFP260NPBFIRF7811AVIRF7204TRPBFIRLML6244TRPBFIRFD9120PBFISL1208IB8Z-TKIRF9Z34NPBF

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